삼성전자 가 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)인 ‘엑시노스 2600’에 새로운 방열 기술을 도입한다.
기존 구조에 구리 기반의 방열판을 집적하는 방식으로, 스마트폰 성능의 핵심 과제인 발열 문제를 해결하는 데 초점을 맞췄다.
29일 업계에 따르면 삼성전자는 2나노 공정 기반의 엑시노스 2600에 ‘히트패스블록(Heat Pass Block, HPB)’ 기술을 처음으로 적용하기 위한 연구개발을 진행 중이다.
엑시노스 2600은 2025년 출시 예정인 ‘갤럭시S26’ 시리즈에 탑재되는 것을 목표로 하고 있으며, 현재 방열 성능 강화를 위한 품질 테스트는 오는 10월까지 완료될 예정이다.
히트패스블록은 구리 소재를 활용한 초소형 방열판으로, 모바일 AP 패키지 내부에 집적되는 구조다.
기존 엑시노스 AP는 D램과 AP를 수직 적층한 PoP(Package-on-Package) 방식이지만, HPB는 D램과 함께 AP 상단에 위치해 직접적인 방열 성능 향상을 유도한다.
이를 통해 칩에서 발생하는 열을 신속히 흡수하고 발산하는 효과를 기대할 수 있다.
엑시노스 2600은 기존 엑시노스 2400 시리즈에서 도입됐던 ‘FOWLP(Fan-Out Wafer Level Packaging)’ 기술도 함께 적용된다.
FOWLP는 칩을 실리콘 웨이퍼에 집적하고, 입출력 단자를 칩 외부로 확장하는 방식으로 방열 및 신호 간섭을 최소화할 수 있는 패키징 방식이다.
이 기술은 고성능과 저전력을 동시에 요구하는 모바일 SoC에 특히 유리하다.
삼성전자는 엑시노스 2600을 통해 모바일 AP의 열 관리 구조를 크게 개선하고, AI 연산과 고화질 영상 처리 등 고성능 작업에서의 안정성을 높이겠다는 전략이다.
특히 GPU와 NPU 등 고성능 IP 탑재가 늘어나는 상황에서 패키징 기술을 통한 발열 대응이 필수 요소로 떠오르고 있다.
한편, 삼성전자 파운드리 사업부는 기존 계획보다 차세대 1.4나노 공정 양산 시점을 2년 이상 연기할 방침이다.
이에 따라 엑시노스 시리즈도 당분간 2나노 공정 기반 유지가 불가피하며, 전공정보다 후공정(패키징 등)의 기술 경쟁력이 더 중요해지고 있다.
삼성전자는 후공정 기술 고도화를 통해 엑시노스 시리즈의 성능 및 발열 이슈를 동시에 해결해 나갈 계획이다.
배동현([email protected]) 기사제보
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