기사 핵심 요약
삼성전자와 SK하이닉스는 '반도체대전(SEDEX) 2026'에서 중국의 추격에 맞서 인공지능(AI) 시대에 대응할 차세대 메모리 기술을 선보였다. 삼성은 4F² D램과 zHBM을, SK하이닉스는 HBM 기술을 낸드에 적용한 HBF와 3D 적층 D램을 공개하며 기술 리더십을 강조했다.
- 삼성전자, 셀 면적 줄인 '4F² D램' 개발 공식화 및 zHBM 공개
- SK하이닉스, HBM 기술 낸드에 적용한 'HBF' 표준화 추진
- 양사 모두 차세대 HBM인 HBM4E 샘플 선보이며 기술 자신감 피력
중국 추격 속 삼성·SK, SEDEX 2026서 차세대 메모리 기술 공개
삼성전자와 SK하이닉스가 14일 서울 코엑스에서 개막한 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 기술을 공개했다. 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 기술 추격이 거센 가운데, 국내 기업들은 HBM4E 등 첨단 기술을 선보이며 기술 격차를 유지하겠다는 의지를 보였다.
삼성전자, '4F² D램' 개발 공식화로 기술 우위 선점
삼성전자가 중국의 기술 추격에 맞서 차세대 '4F² D램' 기술을 개발 중이라고 밝혔다. 4F² D램은 데이터 저장 최소 단위인 셀의 면적을 기존 6F² 구조보다 줄여, 같은 면적의 웨이퍼에서 더 높은 저장 용량을 구현하는 기술이다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 행사장에서 관련 질문에 "열심히 하고 있다"고 답해 개발이 순조롭게 진행 중임을 확인했다. 삼성전자는 지난 2월 국제고체회로학회(ISSCC)에서 4F² 구조를 적용한 16Gb D램 시험용 칩의 작동 성공 사례를 발표한 바 있다.
연산칩 위에 쌓는 zHBM·zNAND-O 첫선
삼성전자는 이번 전시에서 지난 8월 미국에서 공개했던 'zHBM'과 'zNAND-O'의 모형을 국내 최초로 선보였다. zHBM은 기존에 AI 연산칩 옆에 두던 고대역폭메모리(HBM)를 연산칩 바로 위에 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이고 처리 속도를 높이는 3D 적층 기술이다. zNAND-O는 낸드플래시 칩을 여러 층으로 쌓아, 스마트폰 등 기기 자체에서 AI를 실행하는 '온디바이스 AI'에 필요한 데이터를 빠르게 불러오도록 설계됐다.
SK하이닉스 “AI 시대, 새로운 메모리 계층 필요”
SK하이닉스는 AI 시대에 급증하는 데이터에 대응하려면 새로운 메모리 솔루션이 필요하다고 강조했다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 기조연설에서 2030년 AI 인프라 성능 규모가 올해의 약 20배로 커질 것이라고 전망했다. 그는 AI 연산이 고도화되면서 HBM, D램, SSD로 구성된 기존 메모리 계층 구조에서 데이터 이동으로 인한 성능 저하와 전력 소모 병목 현상이 나타나고 있다고 지적했다.
낸드에 HBM 기술 접목한 HBF 표준화 추진
안현 사장은 이러한 병목 현상의 해법으로 '3D 적층 D램'과 '고대역폭플래시(HBF)'를 제시했다. HBF는 HBM의 핵심 기술인 칩 적층과 고속 데이터 전송 기술을 낸드플래시에 적용한 새로운 메모리다. 같은 세대 HBM과 비교해 대역폭은 절반 수준으로, 용량은 약 10배까지 구현하는 것이 목표다. SK하이닉스는 샌디스크 등 글로벌 기업과 HBF 표준화 작업을 진행하고 있으며, 내년 1월 정식 표준 규격이 나올 예정이라고 밝혔다.
HBM4E 경쟁 본격화, 양산 채비 완료
삼성전자와 SK하이닉스는 7세대 HBM인 HBM4E 개발 경쟁도 본격화했다. 양사는 이번 전시에서 HBM4E 실물 샘플을 나란히 공개하며 차세대 시장 주도권 경쟁을 예고했다. 삼성전자는 지난 5월 12단 적층 샘플을 주요 고객사에 출하했고, SK하이닉스 역시 샘플 공급을 마치고 내년 양산을 목표로 개발을 진행 중이다.
머스크 “中 HBM 추격 어려울 것”…메모리 가격은 비판
중국의 반도체 기술 추격에 대해 일론 머스크 테슬라 CEO는 회의적인 시각을 보였다. 그는 자신의 소셜미디어 엑스(X)에 "로직 반도체 온도를 유지할 수 있는 적층 구조 개발은 쉽지 않을 것"이라며 중국이 HBM 기술을 따라잡기 어려울 것으로 전망했다. 다만 그는 현재 메모리 반도체 가격은 비판했다. 머스크는 마이크론의 미래 메모리 가격은 합리적이라고 평가하면서도 다른 업체들은 "터무니없이 비쌌다"고 지적했다. 삼성전자와 SK하이닉스를 직접 언급하지는 않았지만, "오늘의 고객들은 이를 잊지 않을 것"이라고 덧붙였다.
한눈에 보는 삼성·SK 차세대 메모리 전략
SEDEX 2026에서 공개된 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 메모리 기술은 AI 시대의 데이터 처리 한계를 넘어서기 위한 각 사의 전략을 보여준다. 양사가 선보인 핵심 기술은 아래와 같다.
| 구분 | 삼성전자 | SK하이닉스 |
|---|---|---|
| 핵심 D램 기술 | 4F² D램 | 3D 적층 D램 |
| 신규 3D 적층 기술 | zHBM | - |
| 낸드플래시 응용 | zNAND-O | 고대역폭플래시(HBF) |
| 차세대 HBM | HBM4E (12단 샘플) | HBM4E (샘플 공급 완료) |
자주 묻는 질문
삼성전자가 공개한 4F² D램 기술은 무엇인가요?
4F² D램은 데이터 저장 단위인 셀의 면적을 기존보다 획기적으로 줄여, 같은 면적의 웨이퍼에서 더 높은 저장 용량을 구현할 수 있는 차세대 D램 기술입니다.
SK하이닉스가 제시한 HBF는 기존 메모리와 어떻게 다른가요?
고대역폭플래시(HBF)는 HBM의 칩 적층 및 고속 전송 기술을 낸드플래시에 적용한 새로운 개념의 메모리입니다. HBM보다 대역폭은 낮지만 용량을 약 10배까지 구현하는 것을 목표로 합니다.
HBM4E는 언제쯤 상용화되나요?
삼성전자와 SK하이닉스 모두 고객사에 샘플을 공급했으며, SK하이닉스는 2027년 본격적인 양산을 목표로 개발 중이라고 밝혔습니다.
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