SK하이닉스는 대만 TSMC와의 기술 공조를 바탕으로 정면 돌파에 나선다.
10일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스 는 오는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아 산호세에서 열리는 ‘TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄’에 참가해 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)와 차세대 패키징 기술을 공개할 예정이다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 심포지엄에서 TSMC의 첨단 공정과 결합한 HBM4 기술을 중심으로, 차세대 패키징 경쟁력을 선보일 계획”이라고 밝혔다.
TSMC가 주최하는 이 행사는 글로벌 반도체 기업들이 최신 기술 로드맵과 협력 전략을 공유하는 자리다.
SK하이닉스는 인공지능(AI) 시대의 핵심 인프라로 떠오른 HBM 기술력을 기반으로 시장 주도 이미지를 더욱 강화한다는 방침이다.
SK하이닉스는 HBM 시장의 급성장세를 발판 삼아 올해 1분기 글로벌 D램 시장 점유율 1위에 처음으로 올랐다.
특히 업계 최초로 SK하이닉스 는 HBM4 12단 샘플을 고객사에 공급하고 인증 절차에 착수했으며, 하반기 중 양산 준비를 마무리할 예정이다.
HBM4는 기존 HBM3 대비 대역폭, 용량, 전력 효율 면에서 비약적인 성능 향상이 기대되는 제품이다.
HBM4는 데이터 전송 통로 수가 2048개로 기존 HBM3E 대비 2배 확장됐고, 실질적인 전송 속도는 60% 이상 증가했다.
풀HD 영화 400편 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다.
SK하이닉스는 HBM4부터 베이스 다이를 자체 생산하지 않고, TSMC의 첨단 파운드리 공정을 적용해 생산하기로 했다.
이를 통해 다양한 연산 기능과 고객 맞춤형 사양 구현이 가능해졌다.
이번 행사에서는 TSMC의 고성능 패키징 기술인 CoWoS도 함께 소개된다.
CoWoS는 고대역폭 메모리와 고성능 로직 칩 간 통신 속도를 극대화하는 기술로, AI 반도체 성능의 핵심으로 주목받는다.
업계에서는 SK하이닉스와 TSMC 간 기술 협력 관계가 단순 공급을 넘어 전략적 동맹 수준으로 발전하고 있다고 보고 있다.
글로벌 공급망이 재편되고 지정학적 리스크가 커지는 가운데, SK하이닉스는 고부가 메모리 분야에서 기술 리더십을 공고히 하고 미국 현지 고객 및 파트너와의 관계를 강화함으로써 글로벌 경쟁에서 우위를 확보할 계획이다.
배동현 ([email protected]) 기사제보
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